반도체 제조업의 주요 유해위험요인
"반도체 제조업의 주요 유해위험요인"에 대해, 다음 순서로 살펴보겠습니다. 1) 주요 공정별 유해위험요인 2) 예방 대책 3) 작업환경 개선 및 관리 주요 공정별 유해위험요인 웨이퍼 가공 공정웨이퍼 가공 공정은 반도체 제조의 초기 단계로서 확산, 식각, 증착, 이온주입 등의 세부 공정으로 이루어지며, 고온의 열 처리, 화학물질의 사용, 독성가스 노출 등의 유해위험요인들이 존재합니다. 특히 확산 공정은 웨이퍼에 불순물을 주입하기 위해 200°C 이상의 고온에서 작업이 이루어지고, 이때 사용되는 산화막 형성 과정에서는 불산, 황산, 암모니아수 등 화학물질이 사용되기 때문에 작업자는 피부 자극이나 화상의 위험에도 노출됩니다. 식각 공정은 습식 또는 건식 방법을 사용하여 불필요한 부분을 제거하는 공정인..
2025. 1. 17.
